2020年2月6日，美光科技宣布交付全球首款量產(chǎn)的低功耗DDR5 DRAM 芯片，隨后，三星S20系列和小米10系列手機先后發(fā)布，全新的LPDDR5內(nèi)存成為兩家的共同賣點之一，這也預(yù)示著DDR5的時代即將到來。今天我們就來聊一聊DDR5的發(fā)展過程，設(shè)計難題以及如何通過仿真來應(yīng)對DDR5設(shè)計挑戰(zhàn)。
01. DDR技術(shù)的發(fā)展歷程
02. DDR5的出現(xiàn)，帶來了哪些設(shè)計挑戰(zhàn)？
03. 如何通過仿真及建模中的創(chuàng)新克服DDR5技術(shù)挑戰(zhàn)
04. DDR5仿真解決方案
05. DDR5仿真實例
01DDR技術(shù)的發(fā)展歷程
在計算機和移動設(shè)備中，DDR是數(shù)據(jù)的緩沖區(qū)，CPU所需訪問與處理的數(shù)據(jù)幾乎都會經(jīng)過這里。與此同時，除了暫存CPU運算數(shù)據(jù)，DDR還需要承擔(dān)與外部儲存器交互數(shù)據(jù)的使命。隨著CPU處理能力的不斷提高，對DDR的速度和容量的要求也在不斷地提升。
從DDR的發(fā)展圖中可以看到，DDR的傳輸速率在成倍提升，而其迭代速度也在不斷加快。
如今，占據(jù)著主流市場的是從2014年底開始上市的DDR4。較低的工作電壓以及最高可達(dá)4266MT/s的傳輸速率，使其達(dá)到前代DDR3三倍速率的同時，擁有更低的功耗。
但是，隨著CPU的核數(shù)不斷增多，內(nèi)存的性能又將成為新的瓶頸。因此JEDEC協(xié)會早在2017年就開始和各大SDRAM廠商協(xié)作，著手起草DDR5標(biāo)準(zhǔn)，DDR5技術(shù)規(guī)范草案和LPDDR5的更新標(biāo)準(zhǔn)都已公布，不過至今還未推出正式版本。
目前而言，DDR5的最高速率預(yù)計可以達(dá)到8.4GT/s，是DDR4的兩倍。同時，工作電壓也從1.2V降低到了1.1V，這也意味著DDR5在性能提高的同時，進一步降低了功耗。
02 DDR5的出現(xiàn)，帶來了哪些設(shè)計挑戰(zhàn)？
DDR5的速率最高超過8.4GT/s，達(dá)到了前代DDR4最高速率的兩倍。更高的速率，帶來出色性能的同時，不可避免的提升了設(shè)計的困難。
