功率放大倍數(shù) 大（約30～40分貝） ?。s10分貝） 中（約15～20分貝）
頻率特性 高頻差 好
應(yīng)用 多級(jí)放大器中間級(jí)，低頻放大 輸入級(jí)、輸出級(jí)或作阻抗匹配用 高頻或?qū)掝l帶電路及恒流源電路
八、場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器
1、場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，因而也被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。尤其用場(chǎng)效管做整個(gè)電子設(shè)備的輸入級(jí)，可以
獲得一般晶體管很難達(dá)到的性能。
2、場(chǎng)效應(yīng)管分成結(jié)型和絕緣柵型兩大類(lèi)，其控制原理都是一樣的。
3、場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較
1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。
2）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱(chēng)之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱(chēng)之為雙極型器件。
3）有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。
4）場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。
電子專(zhuān)業(yè)英語(yǔ)術(shù)語(yǔ)
Achitecture（結(jié)構(gòu)）：可編程集成電路系列的通用邏輯結(jié)構(gòu)。
ASIC（Application Specific Integrated Circuit－專(zhuān)用集成電路）：適合于某一單一用途的集成電路產(chǎn)品。
ATE（Automatic Test Equipment－自動(dòng)測(cè)試設(shè)備）：能夠自動(dòng)測(cè)試組裝電路板和用于萊迪思 ISP 器件編程的設(shè)備。
BGA（Ball Grid Array－球柵陣列）：以球型引腳焊接工藝為特征的一類(lèi)集成電路封裝。可以提高可加工性，減小尺寸和厚度，改善了噪聲特性，提高了功耗管理特性。
Boolean Equation（邏輯方程）：基于邏輯代數(shù)的文本設(shè)計(jì)輸入方法。
Boundary Scan Test（邊界掃描測(cè)試）：板級(jí)測(cè)試的趨勢(shì)。為實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的技術(shù)所需要的多管腳器件提供了較低的測(cè)試和制造成本。
Cell-based PLD（基于單元的可編程邏輯器件）：混合型可編程邏輯器件結(jié)構(gòu)，將標(biāo)準(zhǔn)的復(fù)雜的可編程邏輯器件（CPLD）和特殊功能的模塊組合到一塊芯片上。
