4. MEMS磁場(chǎng)傳感器。這些傳感器檢測(cè)和測(cè)量磁場(chǎng)，并在位置感應(yīng)，電流檢測(cè)，速度檢測(cè)，車輛檢測(cè)，太空探索等方面得到應(yīng)用。

5. 磁通門傳感器。磁通門傳感器用于測(cè)量直流或低頻交流磁場(chǎng)。這些發(fā)現(xiàn)有許多應(yīng)用，例如空間研究，地球物理，礦物勘探，自動(dòng)化和工業(yè)過程控制?；贛EMS的磁通門傳感器在功耗，體積和性能方面均優(yōu)于其他磁通門傳感器。

?、NEMS

納米機(jī)電系統(tǒng)（NEMS）是一類類似于MEMS的設(shè)備，但屬于納米級(jí)。這些是MEMS器件之后的下一個(gè)小型化步驟。納米諧振器和納米加速度計(jì)是NEMS的示例。

通常，NEMS依賴于碳基材料，包括金剛石，碳納米管和石墨烯。他們最有前途的應(yīng)用之一是生物學(xué)和納米技術(shù)的結(jié)合。納米諧振器將在無線通信技術(shù)中找到應(yīng)用，而納米電機(jī)則可用于生物芯片或傳感器的納米流體泵中。

三、傳感器的材料

確切的傳感器材料取決于其類型和應(yīng)用。例如，數(shù)字，模擬，接近和圖像傳感器都具有自己的材料，結(jié)構(gòu)，制造技術(shù)和包裝。大多數(shù)制造商通常采用最新的傳感器（如MEMS）的材料和制造技術(shù)。電子產(chǎn)品中使用的材料主要起著兩個(gè)作用——發(fā)揮主動(dòng)或被動(dòng)的作用。

被動(dòng)材料：

被動(dòng)材料用于提供機(jī)械結(jié)構(gòu)或電氣連接。這些材料中的某些材料（如硅和砷化鎵）也可以用作有源和無源材料。

活性物質(zhì)：

活性物質(zhì)對(duì)于微電子，光敏，壓電，磁阻和化學(xué)電阻膜的傳感過程至關(guān)重要。薄膜或厚膜形式的微傳感器材料在傳感系統(tǒng)中起著積極的作用。這些設(shè)備使用化學(xué)氣相沉積（CVD）或低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）以及特殊技術(shù)（例如電化學(xué)沉積）制造。

硅：

元素硅在自然界中不存在，但存在于氧化物和硅酸鹽等化合物中。硅是豐富的，相對(duì)便宜的，并且具有許多可用于傳感器應(yīng)用的物理特性?？梢栽诠枰r底上沉積具有所需特性的材料層。單晶硅是使用最廣泛的半導(dǎo)體材料。

多晶硅：

可以通過用氧化物真空沉積到氧化的硅晶片上來形成多晶層。多晶硅結(jié)構(gòu)可以通過離子注入或其他技術(shù)摻雜硼或其他元素，以達(dá)到所需的導(dǎo)電性。電阻的溫度系數(shù)可以通過選擇性摻雜在正負(fù)范圍內(nèi)變化。多晶硅電阻具有長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

其他半導(dǎo)體：

有各種各樣的化合物半導(dǎo)體可用于制備具有獨(dú)特性能的異質(zhì)結(jié)構(gòu)。砷化鎵（GaAs）和銻化銦（InSb）廣泛用于電子組件中。

砷化鎵用于諸如紅外發(fā)光二極管，激光二極管，微波單片集成電路（IC）和太陽(yáng)能電池之類的設(shè)備中。它也用于測(cè)量特定物體溫度的光纖溫度傳感器。

研究表明，砷化鎵的某些電子性能優(yōu)于硅。砷化鎵晶體管的工作頻率高于250GHz.由于砷化鎵的優(yōu)越性能，它們被廣泛用于移動(dòng)電話，衛(wèi)星通信和雷達(dá)系統(tǒng)中。高靈敏度的GaAs壓電傳感器也用于生物檢測(cè)。

InSb.它對(duì)諸如霍爾效應(yīng)傳感器和磁阻之類的磁傳感設(shè)備很有用。InSb磁阻器在汽車應(yīng)用中用作位置傳感器。InSb材料也用于紅外成像。

塑料制品：

塑料廣泛用于電子和電氣組件。由于塑料是絕緣體，因此它們可用于需要絕緣性能的各種應(yīng)用中。聚合物還用作輻射探測(cè)器和化學(xué)傳感器。

金屬：

設(shè)計(jì)傳感器時(shí)要考慮金屬的物理特性和機(jī)械加工。

銅具有出色的熱和電性能，但是很難加工。在某些情況下，可以使用鋁作為替代。金屬用于磁傳感器。金，銀，鉑，銠和鈀等貴金屬?gòu)V泛用于汽車，RFID標(biāo)簽，手機(jī)和PC的傳感器設(shè)備中。

陶瓷：

陶瓷廣泛用于傳感器制造。這些具有共同的特性，包括結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，重量輕，熱穩(wěn)定性，電絕緣性以及與其他材料結(jié)合的能力。它們不與氧氣反應(yīng)，因此不會(huì)產(chǎn)生氧化物。許多制造商將陶瓷用作傳感器基板。

四、傳感器制造

微傳感器技術(shù)使用了常規(guī)硅平面IC技術(shù)中遵循的基本制造步驟以及一些其他步驟。目前，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）是微傳感器中最常用的技術(shù)。微傳感器是使用商業(yè)CMOS IC工藝和隨后的批量微加工技術(shù)設(shè)計(jì)和制造的，確切具體的步驟因傳感器而異。

封裝形式：

必須保護(hù)芯片不受大氣影響。光刻膠或氮化硅材料通常用于覆蓋傳感區(qū)域。LPCVD或CVD工藝用于沉積氮化硅層，該氮化硅層可作為防水層。

下一步是IC封裝。這包括將IC密封在塑料樹脂或金屬外殼中。此過程可保護(hù)硅器件免受周圍環(huán)境的影響，在某些使用大氣傳輸測(cè)量量的MEMS器件中，可能并不總是需要此過程。

沉積：

一些傳感器，特別是MEMS器件，需要沉積薄膜和厚膜材料，以為傳感表面提供所需的特性。例如，對(duì)熱輻射的敏感性是通過用鎳鉻合金涂層來實(shí)現(xiàn)的。可以使用光刻和濕法化學(xué)蝕刻工藝對(duì)膜進(jìn)行局部蝕刻。也可以使用干法物理蝕刻和激光加工。

五、傳感器的未來展望