科技部評(píng)估中心于2017年4月14日在北京組織了由西北工業(yè)大學(xué)（以下簡(jiǎn)稱“西工大”）主持完成的首批國(guó)家重大科學(xué)儀器設(shè)備開(kāi)發(fā)專項(xiàng)“新型CZT半導(dǎo)體X射線和γ射線探測(cè)器研制”項(xiàng)目綜合驗(yàn)收評(píng)審會(huì)。以中國(guó)工程院潘自強(qiáng)院士為驗(yàn)收專家組組長(zhǎng)的13名評(píng)審專家對(duì)項(xiàng)目進(jìn)行了嚴(yán)格審查，最終以97.4分順利通過(guò)了項(xiàng)目綜合驗(yàn)收。

該項(xiàng)目于2011年立項(xiàng)實(shí)施，是西工大首個(gè)、國(guó)家首批國(guó)家重大科學(xué)儀器設(shè)備開(kāi)發(fā)專項(xiàng)項(xiàng)目。項(xiàng)目負(fù)責(zé)人材料學(xué)院介萬(wàn)奇教授聯(lián)合了西工大材料學(xué)院、計(jì)算機(jī)學(xué)院、清華大學(xué)、中科院半導(dǎo)體研究所、中科院高能物理研究所、中科院蘇州醫(yī)工所、西北核技術(shù)研究所、同方威視、核工業(yè)203所等9個(gè)單位，歷時(shí)6年時(shí)間艱苦攻關(guān)，突破了大尺寸探測(cè)器級(jí)CZT晶體的設(shè)計(jì)、合成、生長(zhǎng)技術(shù)，晶體加工、電極制備與封裝，不同應(yīng)用背景探測(cè)器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和評(píng)測(cè)，單元及像素探測(cè)器專用ASIC芯片設(shè)計(jì)等10余項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，開(kāi)發(fā)出高單晶率、低缺陷密度的大尺寸探測(cè)器級(jí)CZT晶體材料生長(zhǎng)與加工技術(shù)，建立并完善單元型、線陣及像素陣列CZT探測(cè)器的制備工藝，形成質(zhì)量可靠的系列化CZT探測(cè)器產(chǎn)品。