互補金屬氧化物半導體FET技術(shù)或助推電子產(chǎn)品變革在近期，由美國波音公司和通用汽車公司擁有的研發(fā)實驗室HRL正式宣布將首次展示其研發(fā)的互補金屬氧化物半導體FET技術(shù)。其實，該研究結(jié)果早在今年1月6日就被發(fā)表在了inieee電子器件快報上，但現(xiàn)在，它將被正式的展示。據(jù)悉，在這一過程中，該實驗室已經(jīng)確定半導體卓越晶體管性能可以在集成電路中加以利用，這一突破為氮化鎵成為目前以硅為原材料的電源轉(zhuǎn)換電路的備選技術(shù)鋪平了道路。
在此之前，氧化鎵由于存在大量的寄生電感導致電壓不穩(wěn)定，使其在光電子方面的應(yīng)用潛力并沒有被開發(fā)出來多少。而現(xiàn)在，HRL通過將電源開關(guān)及驅(qū)動電路集成在同一芯片上的方式，大大的減少了這一影響。
這項技術(shù)被應(yīng)用在電子產(chǎn)品當中的話，將使功率集成電路能夠采用更小的尺寸，并以更低的成本實現(xiàn)更高效的電力管理，也能夠在更為惡劣的環(huán)境下工作。在此之前，由于在制造P溝道晶體管和N溝道晶體管的挑戰(zhàn)，氮化鎵CMOS集成電路曾被認為是困難或不可能的。而現(xiàn)在HRL已經(jīng)通過自己的努力改變了這一切。
這項技術(shù)必將對電子產(chǎn)品帶來巨大的影響，甚至是具有革命性意義的影響。在未來，我們所使用的電子產(chǎn)品或許將因此具備更優(yōu)秀的性能和更廣的使用范圍。
