在最上游的材料環(huán)節(jié)，在遷移率、帶隙寬度等方面具有更優(yōu)能力的新材料正在進(jìn)入產(chǎn)業(yè)界的視野。寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程提速，Wolfspeed全球首條8英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線于4月啟動(dòng)試產(chǎn)，將進(jìn)一步提升碳化硅的產(chǎn)量并降低成本。

“可以看到，業(yè)界廣泛討論的第二、三、四代半導(dǎo)體，也就是GaAs、GaN、SiC、Ga2O3等材料具有寬禁帶、高導(dǎo)熱率、高抗輻射等優(yōu)勢(shì)，在高速、高頻、大功率等應(yīng)用場(chǎng)景相較硅具有顯著優(yōu)勢(shì)，在5G、新能源市場(chǎng)逐步普及。石墨烯、碳納米管等碳基器件理論上可以較好適配柔性電子領(lǐng)域應(yīng)用?！迸砘⒄f(shuō)。

而“一機(jī)難求”的設(shè)備產(chǎn)業(yè)，也在隨著工藝制程的進(jìn)步提升系統(tǒng)性能。今年6月，臺(tái)積電研發(fā)資深副總經(jīng)理米玉杰在臺(tái)積電硅谷技術(shù)研討會(huì)上表示，公司將在2024年引進(jìn)ASML高數(shù)值孔徑極紫外光光刻機(jī)，更高數(shù)值的孔徑意味著更小的光線入射角度，能夠用來(lái)制造尺寸更小、速度更快的芯片。

景璀表示，未來(lái)半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)發(fā)展將聚焦于三個(gè)主要趨勢(shì)：一是功能模塊和工藝集成化，設(shè)備各模組功能進(jìn)行模塊標(biāo)準(zhǔn)化，盡可能實(shí)現(xiàn)工藝輸出的穩(wěn)定性和一致性，相關(guān)聯(lián)或相近工藝盡量整合在同一系統(tǒng)，有效提高整個(gè)系統(tǒng)的輸出效率；二是控制精細(xì)化，先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)越低對(duì)關(guān)鍵參數(shù)的控制要求越精細(xì)；三是系統(tǒng)智能化，設(shè)備系統(tǒng)集成智能算法，根據(jù)工藝輸出可自動(dòng)對(duì)關(guān)鍵參數(shù)進(jìn)行修正調(diào)節(jié)。