暗電流，維基百科的解釋是：當(dāng)沒有光子通過光感測(cè)器（例如光電倍增管、光電二極管及感光耦合元件）時(shí)，元件上仍然會(huì)產(chǎn)生的微小電流。在非光學(xué)元件中稱為逆向偏壓時(shí)的漏電流，在所有二極管中都存在。暗電流形成的原因是元件中耗盡層中電子以及空穴隨機(jī)產(chǎn)生所造成的。這個(gè)解釋有幾個(gè)重點(diǎn)：1. 無光環(huán)境、反向偏壓、漏電流；2. 任何二極管都存在暗電流；3. 暗電流屬于元件的熱噪聲，隨機(jī)產(chǎn)生、無法消除。通俗一點(diǎn)：首先，這個(gè)電流并非來自外界的光子產(chǎn)生的，而是來自元件內(nèi)部的熱噪聲；其次，任何二極管都有一個(gè)理論特性即正向?qū)ā⒎聪蚪刂梗F(xiàn)實(shí)中的二極管元件，反向不可能做到真正的截止（反向飽和電流為0），最后暗電流是沒辦法完全消除，只能通過TEC或者液氮降溫的方式來減小。

一般來說暗電流都很小，基本都在uA和nA量級(jí)，而在工業(yè)領(lǐng)域，暗電流測(cè)試屬于必測(cè)項(xiàng)，該測(cè)試指標(biāo)主要是用來判斷二極管元件是否擊穿以及晶圓工藝是否存在問題。那這么小的暗電流，我們?cè)撊绾螠?zhǔn)確、可靠的測(cè)量呢？有人說用一般的萬用表或者安培表就可以了，真的可以嗎？其實(shí)小電流的測(cè)試并沒有說的那么簡單，還是需要克服很多難點(diǎn)，我這里就簡單列舉最主要的幾個(gè)難點(diǎn)：

1.電流表在測(cè)試時(shí)如何克服電流表帶來的輸入端壓降（Voltage Burden）

萬用表測(cè)量mA以上的電流時(shí)，電流表的內(nèi)阻基本可以忽略不計(jì)，但小電流的量級(jí)基本都在uA甚至nA級(jí)別，此時(shí)電流表的內(nèi)阻就不能忽略不計(jì)了，而電流表內(nèi)阻會(huì)帶來壓降，這個(gè)壓降就稱之為“輸入端壓降（voltage burden）”，這個(gè)指標(biāo)的大小直接會(huì)影響電流的測(cè)量精度（如圖-1所示）：

圖-1

舉個(gè)例子：假設(shè)Vs=0.7V、Is=100uA、Ifs=200uA、Rs=10KΩ、然后輸入端壓降為200mV：

那計(jì)算出來IM=（0.7V-0.2V（100uA/200uA））/10KΩ= 60uA

而理想情況下IM=0.7/10KΩ=70uA，則測(cè)試誤差=14%；

如果把輸入端壓降減小到200uV,  那整個(gè)測(cè)試IM=69.99uA  則測(cè)試誤差=0.01%；

結(jié)論：通過上面一個(gè)簡單的例子就可以說明，電流表的輸入端壓降會(huì)直接影響電流表的測(cè)量精度，輸入端壓降越大，電流的測(cè)量誤差就越大，而輸入端壓降越小，測(cè)量誤差就越小。

2.如何在測(cè)量電流的時(shí)候添加一個(gè)合適的反向偏壓（Bias Voltage）

常用的萬用表都只能解決測(cè)量的問題，但目前很多暗電流的測(cè)試都需要提供一個(gè)反向偏壓，為什么要加偏壓？一方面偏壓可以加速電子和空穴的遷移過程，減少電子和空穴的復(fù)合率，從而提高量子效率和響應(yīng)時(shí)間；但是反向電壓也不能無限制的增加，過大的偏壓有可能會(huì)導(dǎo)致二極管的反向擊穿等；另一方面，很多二極管屬于雪崩二極管如APD，它們本身需要一定的偏壓才能達(dá)到工作條件，形成雪崩效應(yīng)，縱觀目前的電流表和萬用表，都不具備提供偏壓的功能，因此必須在電流表的回路中加入電壓源，這樣會(huì)使測(cè)試系統(tǒng)變得復(fù)雜，引入更多干擾條件，導(dǎo)致整個(gè)暗電流的測(cè)試精度無法保證。

那相關(guān)行業(yè)（如LED/PD行業(yè)）在暗電流（帶偏壓）測(cè)試上都采用什么設(shè)備來進(jìn)行測(cè)試呢？通過對(duì)幾個(gè)行業(yè)的調(diào)研和走訪，發(fā)現(xiàn)目前暗電流測(cè)試主要有兩種選擇：

（1）SMU源測(cè)單元，一方面利用它的電壓源功能，可以完成反向偏壓的掃描，另一方面同時(shí)利用它的測(cè)量功能，完成小電流的測(cè)試，這個(gè)方案的優(yōu)點(diǎn)是電壓掃描范圍大，最高可到幾百伏，而電流的測(cè)量功能也能基本滿足nA級(jí)別的測(cè)試要求，缺點(diǎn)則是SMU的單價(jià)比較高，相對(duì)而言性價(jià)比就沒那么高了。

Keithley SMU 2600

（2）另一種采用高精度的DMM或者皮安表，這兩個(gè)產(chǎn)品都屬于測(cè)量設(shè)備，可以用于暗電流測(cè)試，電流的測(cè)試精度甚至可以達(dá)到pA級(jí)別，產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)是價(jià)格適中，測(cè)量精度較高；但這兩個(gè)產(chǎn)品的缺點(diǎn)是1）無法提供偏壓，只能完成無偏壓環(huán)境下的暗電流測(cè)試，2）高精度萬用表的輸入端壓降（voltage burden）比較高，會(huì)影響小電流的測(cè)試精度。

目前5G大基建如火如荼，光通信行業(yè)呈現(xiàn)爆發(fā)式增長，帶寬和速度越來越快，不管是無源的光網(wǎng)絡(luò)如FTTx、光纖光纜，還是有源的光收發(fā)模塊、光芯片等等都對(duì)PD端的靈敏度提出了越來越高的要求，那么，靈敏度的提升必然對(duì)暗電流的要求也越來越苛刻，通過查閱很多規(guī)格書，相當(dāng)一部分的暗電流測(cè)試的要求都明確要求暗電流≤1nA，有的甚至要求≤幾百pA，同時(shí)偏壓要求在5-15V之間，有的電壓要求≥100V, 這對(duì)于DMM和皮安表來說基本無能為力。