六角形SiGe合金的發(fā)射非常有效，適合開始生產(chǎn)全硅激光器。但直到現(xiàn)在，還不能使它們發(fā)光。Bakkers團(tuán)隊正在通過減少雜質(zhì)和晶體缺陷的數(shù)量，設(shè)法提高了六角硅鍺外殼的質(zhì)量，當(dāng)用激光激發(fā)納米線時，他們可以測量新材料的效率。
圖源：埃因霍溫科技大學(xué)
AlainDijkstra是第一作者，也是負(fù)責(zé)測量光發(fā)射的研究人員，他說：“我們的實驗表明，這種材料結(jié)構(gòu)正確，沒有缺陷，它能非常有效地發(fā)光?！?
Bakkers說： “到目前為止，我們已經(jīng)實現(xiàn)了幾乎可以與磷化銦和砷化鎵相媲美的光學(xué)性能，并且材料的質(zhì)量正在急劇提高。如果運行平穩(wěn)，我們可以在2020年制造出硅基激光器。這將使光學(xué)功能與主流電子平臺緊密集成，這將打破片上光通信和基于光譜學(xué)的價格合理的化學(xué)傳感器的開放前景。”
如此一來，成功研發(fā)出硅激光器，也只是時間問題。
關(guān)鍵詞:硅激光器 光子芯片 光子通信 瀏覽量：1011
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