圖1：應(yīng)變計(jì)實(shí)質(zhì)上是一個(gè)有著4個(gè)電阻的橋電路，電路兩端的電壓會(huì)隨著金屬板彎曲變形而發(fā)生改變。
我們將重點(diǎn)關(guān)注這些誤差來(lái)源：
耦合進(jìn)傳感器信號(hào)的射頻干擾(RFI)
耦合進(jìn)傳感器信號(hào)的50/60Hz電源
數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的內(nèi)部噪聲
熱漂移和傳感器不穩(wěn)定性
測(cè)試裝置
正常情況下，傳感器通過(guò)一根屏蔽電纜連接到數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。然而出于演示射頻干擾(無(wú)線(xiàn)電波耦合進(jìn)信號(hào)線(xiàn))的目的，我們切斷了IN+導(dǎo)線(xiàn)，并引入了一個(gè)入侵信號(hào)和一個(gè)函數(shù)發(fā)生器。函數(shù)發(fā)生器的5Vrms輸出連接到一根圍著傳感器IN+導(dǎo)線(xiàn)繞了10圈的裸導(dǎo)線(xiàn)。我們還在函數(shù)發(fā)生器輸出端串聯(lián)了一個(gè)270Ω的電阻，便于通過(guò)入侵線(xiàn)圈產(chǎn)生18mA的電流(5Vrms/270=18mArms).
我們還在第二個(gè)測(cè)量通道上連接了一個(gè)假的傳感器，這個(gè)傳感器與稱(chēng)重傳感器有相同的電氣特性。它包含4個(gè)在電纜末端懸浮于空中的獨(dú)立薄膜電阻，函數(shù)發(fā)生器也采用與稱(chēng)重傳感器相同的方式連接。源阻抗越高，耦合進(jìn)來(lái)的射頻干擾就越多。因此，假傳感器具有與稱(chēng)重傳感器相同的350Ω源阻抗。第二個(gè)通道用于識(shí)別來(lái)自稱(chēng)重傳感器自身內(nèi)部的少許不穩(wěn)定性。
第三個(gè)通道用一段位于數(shù)據(jù)采集IN+與IN-端子之間以及GND與IN+之間的2cm長(zhǎng)導(dǎo)線(xiàn)接地。這第三個(gè)通道用于確定內(nèi)部系統(tǒng)噪聲和數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)本身的熱漂移。所有實(shí)驗(yàn)都是用測(cè)量范圍是±10mV的instruNet i423卡完成，并使用instruNet World Oscilloscope/Strip圖表軟件。
我們將重點(diǎn)關(guān)注這些誤差來(lái)源：
耦合進(jìn)傳感器信號(hào)的射頻干擾(RFI)
耦合進(jìn)傳感器信號(hào)的50/60Hz電源
數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的內(nèi)部噪聲
熱漂移和傳感器不穩(wěn)定性
測(cè)試裝置
正常情況下，傳感器通過(guò)一根屏蔽電纜連接到數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。然而出于演示射頻干擾(無(wú)線(xiàn)電波耦合進(jìn)信號(hào)線(xiàn))的目的，我們切斷了IN+導(dǎo)線(xiàn)，并引入了一個(gè)入侵信號(hào)和一個(gè)函數(shù)發(fā)生器。函數(shù)發(fā)生器的5Vrms輸出連接到一根圍著傳感器IN+導(dǎo)線(xiàn)繞了10圈的裸導(dǎo)線(xiàn)。我們還在函數(shù)發(fā)生器輸出端串聯(lián)了一個(gè)270Ω的電阻，便于通過(guò)入侵線(xiàn)圈產(chǎn)生18mA的電流(5Vrms/270=18mArms).
我們還在第二個(gè)測(cè)量通道上連接了一個(gè)假的傳感器，這個(gè)傳感器與稱(chēng)重傳感器有相同的電氣特性。它包含4個(gè)在電纜末端懸浮于空中的獨(dú)立薄膜電阻，函數(shù)發(fā)生器也采用與稱(chēng)重傳感器相同的方式連接。源阻抗越高，耦合進(jìn)來(lái)的射頻干擾就越多。因此，假傳感器具有與稱(chēng)重傳感器相同的350Ω源阻抗。第二個(gè)通道用于識(shí)別來(lái)自稱(chēng)重傳感器自身內(nèi)部的少許不穩(wěn)定性。
第三個(gè)通道用一段位于數(shù)據(jù)采集IN+與IN-端子之間以及GND與IN+之間的2cm長(zhǎng)導(dǎo)線(xiàn)接地。這第三個(gè)通道用于確定內(nèi)部系統(tǒng)噪聲和數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)本身的熱漂移。所有實(shí)驗(yàn)都是用測(cè)量范圍是±10mV的instruNet i423卡完成，并使用instruNet World Oscilloscope/Strip圖表軟件。
