近年來，受全球經(jīng)濟(jì)形勢的變化以及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期的影響，半導(dǎo)體產(chǎn)品整體需求呈下降趨勢，尤其是消費電子等傳統(tǒng)領(lǐng)域，但與此同時，在我國國家政策的引導(dǎo)下，新能源等領(lǐng)域需求仍維持高速增長，以功率半導(dǎo)體為首的相關(guān)領(lǐng)域國產(chǎn)替代進(jìn)程明顯加快。
目前，我國在低端功率半導(dǎo)體領(lǐng)域已實現(xiàn)較高國產(chǎn)化率，例如在硅器件的低壓SGT、高壓超結(jié)器件、IGBT及IGBT模塊等的技術(shù)、產(chǎn)品以及產(chǎn)能方面均取得了突破性進(jìn)展。在SiC領(lǐng)域SBD達(dá)到國際先進(jìn)水平，另外平面MOSFET也取得一定突破并進(jìn)入量產(chǎn)階段，但在IGBT的高端應(yīng)用和溝槽SiC MOSFET等領(lǐng)域技術(shù)實力仍有不足。考慮到功率半導(dǎo)體與其他半導(dǎo)體品類相比迭代周期較慢，這或?qū)槲覈鴱S商帶來難得的發(fā)展窗口期。
