同時(shí)東芝計(jì)劃在2024年量產(chǎn)車載充電器用SiC MOSFET產(chǎn)品。在GaN器件的研發(fā)上，東芝計(jì)劃在2023年開始提供結(jié)合GaN和硅功率MOSFET的產(chǎn)品。據(jù)說與硅器件相比，該產(chǎn)品可將損耗減少一半。據(jù)悉，東芝的僅用GaN實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)，電源單元體積比硅縮小約60%的第二代產(chǎn)品正在開發(fā)中。

另一項(xiàng)加大研發(fā)的業(yè)務(wù)是近線硬盤HDD，開發(fā)新HDD型號，該業(yè)務(wù)市場對數(shù)據(jù)中心/云服務(wù)提供商的需求正在擴(kuò)大，預(yù)計(jì)2021年至2030年的復(fù)合年增長率將達(dá)到 22%。東芝計(jì)劃在2023年完成一臺30T字節(jié)的機(jī)器，目標(biāo)是未來35TB以上的記錄容量。

再就是在半導(dǎo)體制造設(shè)備上的布局，東芝將專注于電子束掩模光刻設(shè)備和外延生長設(shè)備。據(jù)悉，東芝的NuFlare Technology作為單束機(jī)中20納米以下先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的電子束掩模光刻系統(tǒng)擁有100%的市場份額。多光束機(jī)“MBM-2000”于2021年交付給客戶，計(jì)劃到2023年占據(jù)50%的市場份額。此外，東芝正在開發(fā)一種新的電子源，以獲得更高的電流和更高的亮度，用于支持2nm，希望在2023年底前開始出貨，以滿足客戶的發(fā)展路線圖。

在外延生長設(shè)備方面，東芝預(yù)計(jì)市場增長將受到xEV、下一代通信標(biāo)準(zhǔn)中使用的SiC、GaN功率半導(dǎo)體的快速增長以及直徑增加到200 mm晶圓的推動。該公司的SiC和GaN外延生長設(shè)備是一種獨(dú)特的方法，使氣體垂直向下均勻地流向反應(yīng)器中高速旋轉(zhuǎn)的晶片，具有低缺陷密度、高均勻性和在薄膜上高速成膜的特點(diǎn)表面。

寫在最后

當(dāng)下的供應(yīng)短缺沒有短期解決辦法，而穩(wěn)定的晶圓產(chǎn)能供應(yīng)無疑是模擬芯片廠商接下來的競爭點(diǎn)。但擴(kuò)張之后，在某個(gè)時(shí)間點(diǎn)，他們產(chǎn)品會太多，如果短缺或漲價(jià)的周期在某個(gè)時(shí)候結(jié)束，模擬芯片廠商們也應(yīng)當(dāng)要為此做好準(zhǔn)備。