隨著5G通信的發(fā)展，5G基站、載波聚合、Sub-6GHz以及毫米波頻段的發(fā)展和成熟，將大幅度拉動(dòng)功率放大器（PA）、濾波器、低噪聲放大器（LNA）、開關(guān)、天線等中高頻器件的市場需求。

所謂中高頻器件，也就是應(yīng)用于5G中頻（Sub-6GHz）和高頻（毫米波mmWave）頻段的射頻器件，包含功率放大器（PA）、濾波器、天線、低噪聲放大器（LNA）、射頻開關(guān)、射頻收發(fā)器等器件。

“當(dāng)前國內(nèi)芯片行業(yè)發(fā)展迅速，我國5G產(chǎn)業(yè)發(fā)展已走在世界前列，但在整體產(chǎn)業(yè)鏈布局方面，我國企業(yè)主要處于產(chǎn)業(yè)鏈的中下游。在產(chǎn)業(yè)鏈上游，尤其是中高頻芯片和器件等核心環(huán)節(jié)，技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于國外。尤其是射頻芯片、模組仍嚴(yán)重依賴進(jìn)口，射頻前端市場被Qorvo、Skyworks、博通等企業(yè)壟斷?！睆V東省未來通信高端器件創(chuàng)新中心首席架構(gòu)師樊永輝表示。

從上圖可以看到，通信射頻前端市場規(guī)模不斷擴(kuò)大，發(fā)展趨勢良好，但此類器件技術(shù)和市場目前被國外大廠掌控和壟斷。中高頻核心器件是實(shí)現(xiàn)5G通信網(wǎng)絡(luò)的核心與關(guān)鍵之一，面對我國5G產(chǎn)業(yè)發(fā)展的制約瓶頸，實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)射頻器件技術(shù)與市場的突破成為5G時(shí)代下的重要任務(wù)和目標(biāo)。

據(jù)工信部調(diào)研數(shù)據(jù)顯示，濾波器和天線具有國產(chǎn)化供應(yīng)鏈基本能力，但功率放大器供應(yīng)鏈弱小，中高頻核心器件是我國5G領(lǐng)域主要短板。

因此，面對“關(guān)鍵核心技術(shù)缺失”、“產(chǎn)業(yè)上下游協(xié)同不足”的行業(yè)現(xiàn)狀以及“sub-6G中材料和工藝不足”、“毫米波領(lǐng)域設(shè)計(jì)能力分散、制造產(chǎn)能稀缺”的技術(shù)現(xiàn)狀，緊扣5G中高頻核心器件設(shè)計(jì)、制造、測試和應(yīng)用等各環(huán)節(jié)關(guān)鍵技術(shù)，以器件設(shè)計(jì)為核心，垂直應(yīng)用為引擎，整合產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢資源，彌補(bǔ)通信產(chǎn)業(yè)鏈缺失環(huán)節(jié)，實(shí)現(xiàn)中高頻核心器件前沿和共性技術(shù)研發(fā)供給、轉(zhuǎn)移擴(kuò)散和首次商用化等眾多舉措成為我國爭奪未來通信技術(shù)國際制高點(diǎn)提供有力支撐，也為打破國外技術(shù)壁壘提供了新的可能和機(jī)遇。

此外，對于中高頻器件未來的發(fā)展與技術(shù)路線，樊永輝總結(jié)道，以SiC為襯底的GaN的功率放大器將是宏基站的主要技術(shù)。

Si基GaN功率放大器有望被應(yīng)用于微小基站以及高頻段的手機(jī)中，取決于8寸硅工藝能力以滿足大規(guī)模市場需求及降低成本；基站濾波器的主要技術(shù)仍將是陶瓷介質(zhì)濾波器；在手機(jī)中，在sub-6G頻率范圍內(nèi)將以FBAR為主，在更高的頻率，需要開發(fā)基于電磁波的濾波器技術(shù)；5G時(shí)代，中高頻器件總的趨勢是小型化、模塊化、更高的頻率與集成化。