例如，安森美半導(dǎo)體1200 V、15 A的一款SiC二極管，雪崩電流接近200 A (3500 A/cm2)，8.2 ms 脈沖可以承受158 A (>10倍 額定值) 非破壞性的浪涌電流，33 μs 脈沖可以承受740 A更高的浪涌電流，而小很多的電流將會(huì)使一個(gè)平面肖特基二極管發(fā)生故障。我們?cè)?5C/85% RH的高溫度/濕度/偏置VCE=960V的測(cè)試條件下進(jìn)行了對(duì)比測(cè)試，結(jié)果顯示，競(jìng)爭(zhēng)SiC器件(1200V、8A)在168小時(shí)后發(fā)生故障，而安森美半導(dǎo)體SiC器件(1200V, 10A)通過(guò)了1000小時(shí)的測(cè)試，可見(jiàn)安森美半導(dǎo)體的SiC二極管的可靠性更高。
表1. 安森美半導(dǎo)體的650 V SiC二極管
表2. 安森美半導(dǎo)體的1200 V SiC二極管
其中，F(xiàn)FSHx0120和FFSHx065是符合AEC-Q101車(chē)規(guī)的汽車(chē)級(jí)SiC二極管，能在惡劣的電氣環(huán)境中可靠地工作，為汽車(chē)應(yīng)用帶來(lái)能效、性能、功率密度等多方面的顯著優(yōu)勢(shì)。
SiC MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)器用于高性能的工業(yè)逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
SiC MOSFET有獨(dú)特的門(mén)極驅(qū)動(dòng)要求。安森美半導(dǎo)體的NCP51705 是經(jīng)優(yōu)化的SiC MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，具備高度的靈活性和集成度，能高效、可靠地驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)上任何SiC MOSFET。峰值輸出電流高達(dá)6 A，正額定電壓可擴(kuò)展，集成負(fù)壓充電泵，能提供-5 V驅(qū)動(dòng)電壓，可調(diào)的欠壓保護(hù)(UVLO)，退飽和(DESAT)檢測(cè)短路保護(hù)，過(guò)熱關(guān)斷保護(hù)。NCP51705支持設(shè)計(jì)人員根據(jù)需求進(jìn)行調(diào)試，具有簡(jiǎn)單的BoM，無(wú)需額外的DC-DC電路，提供負(fù)壓實(shí)現(xiàn)快速關(guān)斷，采用4 mm x 4 mm QFN24的極小封裝，適用于工業(yè)逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、高性能功率因數(shù)校正(PFC)、AC-DC及DC-DC轉(zhuǎn)換器。圖2所示為SiC MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)器NCP51705的典型線路圖。
圖2：典型的半橋隔離門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路
SiC MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)器要點(diǎn)包括：
● 類(lèi)似于傳統(tǒng)的硅MOSFET驅(qū)動(dòng)器, 在開(kāi)關(guān)時(shí)提供高峰值電流，以對(duì)CGS和CGD電容快速充放電
●為實(shí)現(xiàn)最低的RDS(ON，在導(dǎo)通時(shí)間內(nèi)需要提供20V至22V 門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓
● 為實(shí)現(xiàn)最快的關(guān)斷速度和在關(guān)態(tài)期間不受dV/dt 影響，在關(guān)斷期內(nèi)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)將門(mén)極拉至 約-5V
●通過(guò)使用低電感封裝或共同封裝來(lái)減輕驅(qū)動(dòng)或開(kāi)關(guān)時(shí)源電感的負(fù)反饋效應(yīng)，如漏感引起的振蕩、干擾等
安森美半導(dǎo)體提供寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)
為加速設(shè)計(jì)，安森美半導(dǎo)體提供一個(gè)重點(diǎn)圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無(wú)二的生態(tài)系統(tǒng)，包括SiC、GaN、門(mén)極驅(qū)動(dòng)、創(chuàng)新的封裝和先進(jìn)的仿真工具SPICE模型。該SPICE模型直觀、準(zhǔn)確、具預(yù)測(cè)性，支持系統(tǒng)級(jí)仿真，設(shè)計(jì)人員可有把握地仿真數(shù)據(jù)表中未涵蓋的工作條件，從而提前在仿真過(guò)程進(jìn)行評(píng)估，加快開(kāi)發(fā)流程。該SPICE模型還可連接到多種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的仿真平臺(tái)端口。
總結(jié)
