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電流檢測(cè)法技術(shù)分析


  來源: 21IC中國(guó)電子網(wǎng) 時(shí)間:2018-08-31 編輯:思揚(yáng)
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與十年前相比,現(xiàn)在的電子產(chǎn)品具有更多的功能。工程師們不得不設(shè)計(jì)精密的系統(tǒng),常以“創(chuàng)造性”滿足嚴(yán)格的功率預(yù)算,以保持高能效。預(yù)測(cè)系統(tǒng)的維護(hù)和保護(hù)需要快速反應(yīng)系統(tǒng)的響應(yīng)。一個(gè)關(guān)鍵功能是監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的電流消耗和壓降。

在所有的電流檢測(cè)法中,使用放大器監(jiān)測(cè)分流的電流是到目前為止最常用的方法。電流檢測(cè)可以使用電流檢測(cè)放大器(CSA)或帶有外部增益設(shè)置電阻的運(yùn)算放大器(Op Amp)來實(shí)現(xiàn)(圖1)。這兩者的選擇,取決于性能要求和物料單(BOM) 的目標(biāo)成本。


圖1(a)帶有外部增益設(shè)置電阻的運(yùn)算放大器    圖1(b)電流檢測(cè)


Typical op amp current sensing requires 2 to 4 precision resistors:普通的運(yùn)放電流檢測(cè)需要2至4個(gè)精密的電阻,NCS21xR has integrated precision resistors:NCS21xR集成精密的電阻。

從性能的角度,增益設(shè)置電阻之間的不匹配會(huì)影響電流測(cè)量的精度,繼而影響并聯(lián)器件的尺寸。其他設(shè)計(jì)考慮因素包括器件規(guī)格(輸入偏置電壓、共模抑制、增益誤差)、并聯(lián)器件尺寸、分流位置和PCB布局。我們將在隨后的博客中深入分析這些因素?,F(xiàn)在,讓我們大體看看這些因素。

我們選取了四個(gè)放大器(LM358,NCS20081,NCS333和NCS214R),比較從通用到精密放大器(圖2和圖3中從左到右)的性能優(yōu)勢(shì)。

NCV214R集成增益設(shè)置電阻,以獲得更好的匹配和共模性能。其他的則需要外部電阻網(wǎng)絡(luò)。假設(shè)在LM 358、NCS20081和NCS333的性能比較中使用了匹配的電阻網(wǎng)絡(luò)。NCS214R提供最高的精度(圖2)和極高能效的方案(圖3)。



 圖2:對(duì)于固定的分流壓降(例如50 mv),偏置誤差有幾個(gè)數(shù)量級(jí)的差異


With a 50 mV shunt drop: 14% offset error

50 mV分流壓降:14%偏置誤差

With a 50 mV shunt drop: 7% offset error

50 mV分流壓降:7%偏置誤差

With a 50 mV shunt drop: 0.02% offset error

50 mV分流壓降:0.02%偏置誤差

With a 50 mV shunt drop: 0.12% offset error

50 mV分流壓降:0.12%偏置誤差

Reduce offset voltage:減小偏置電壓

Improve accuracy:提高精確度

System performance improves:系統(tǒng)性能提升



 圖3:若要實(shí)現(xiàn)最大的系統(tǒng)能效,對(duì)于固定的偏置誤差,較低的分流壓降會(huì)降低功耗


To achieve 2% offset error: 350 mV shunt drop

要達(dá)到2%偏置誤差:分流壓降350 mV

To achieve 2% offset error: 175 mV shunt drop

要達(dá)到2%偏置誤差:分流壓降175 mV

To achieve 2% offset error: 0.5 mV shunt drop

要達(dá)到2%偏置誤差:分流壓降0.5 mV

To achieve 2% offset error: 3 mV shunt drop

要達(dá)到2%偏置誤差:分流壓降3 mV

Reduce voltage dro across sense resistor:減小檢測(cè)電阻壓降

Reduce power dissipation:降低功耗

System efficiency improves:系統(tǒng)能效提升


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