2018年1月30日，NI(美國(guó)國(guó)家儀器，National Instruments, 簡(jiǎn)稱NI) 作為致力于為工程師和科學(xué)家提供基于平臺(tái)的系統(tǒng)解決方案來(lái)應(yīng)對(duì)全球最嚴(yán)峻工程挑戰(zhàn)的供應(yīng)商，宣布推出PXIe-4163高密度源測(cè)量單元(SMU)，該測(cè)量單元提供了比以往NI PXI SMU高達(dá)6倍的直流通道密度，適用于測(cè)試RF、MEMS以及混合信號(hào)和其他模擬半導(dǎo)體元件。

NI全球銷售和市場(chǎng)執(zhí)行副總裁Eric Starkloff表示：“5G、物聯(lián)網(wǎng)和自動(dòng)駕駛汽車等革命性的技術(shù)發(fā)展給半導(dǎo)體企業(yè)帶來(lái)持續(xù)的壓力。無(wú)論是實(shí)驗(yàn)室環(huán)境還是生產(chǎn)車間，都需要采用更高效的半導(dǎo)體測(cè)試方法。半導(dǎo)體測(cè)試是NI的戰(zhàn)略重點(diǎn)。我們正在擴(kuò)展我們的軟件平臺(tái)和PXI功能，以幫助芯片制造商應(yīng)對(duì)他們面臨的最大挑戰(zhàn)，這一點(diǎn)通過(guò)NI最新的PXI SMU可以完全體現(xiàn)出來(lái)?！?/span>

由于其高吞吐量、高性價(jià)比和占地面積小，NI的半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)(STS)正在快速應(yīng)用到芯片生產(chǎn)中。全新的PXIe-4163 SMU則進(jìn)一步增強(qiáng)了這些功能，它能提供更高的直流通道密度，使多站點(diǎn)應(yīng)用具有更高的并行性，以及在生產(chǎn)中提供實(shí)驗(yàn)室級(jí)別的測(cè)量質(zhì)量。利用這一組合，工程師在實(shí)驗(yàn)室和生產(chǎn)車間中可以使用相同的儀器進(jìn)行驗(yàn)證，從而減少了測(cè)量數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)的挑戰(zhàn)，進(jìn)而縮短上市時(shí)間。

工程師可以在STS配置或單獨(dú)的PXI系統(tǒng)中使用全新的PXIe-4163 SMU。 主要產(chǎn)品功能包括：

（1）在單個(gè)PXI Express插槽中提供多達(dá)24路通道

（2）每通道電壓范圍+/- 24 V

（3）每通道高達(dá)100 mA源極/漏極電流

（4）100 pA電流靈敏度

（5）高達(dá)100 kS/s采樣率和更新速率

（6）采用SourceAdapt技術(shù)，可最小化過(guò)沖和振動(dòng)