下面介紹幾個(gè)模塊電源中常用的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路。
1:電源IC直接驅(qū)動(dòng)MOSFET
電源IC直接驅(qū)動(dòng)是我們最常用的驅(qū)動(dòng)方式,同時(shí)也是最簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)方式,使用這種驅(qū)動(dòng)方式,應(yīng)該注意幾個(gè)參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。第一,查看一下電源IC手冊(cè),其最大驅(qū)動(dòng)峰值電流,因?yàn)椴煌酒?,?qū)動(dòng)能力很多時(shí)候是不一樣的。第二,了解一下MOSFET的寄生電容,如圖 1中C1、C2的值。如果C1、C2的值比較大,MOS管導(dǎo)通的需要的能量就比較大,如果電源IC沒(méi)有比較大的驅(qū)動(dòng)峰值電流,那么管子導(dǎo)通的速度就比較慢。如果驅(qū)動(dòng)能力不足,上升沿可能出現(xiàn)高頻振蕩,即使把圖 1中Rg減小,也不能解決問(wèn)題! IC驅(qū)動(dòng)能力、MOS寄生電容大小、MOS管開(kāi)關(guān)速度等因素,都影響驅(qū)動(dòng)電阻阻值的選擇,所以Rg并不能無(wú)限減小。
2:電源IC驅(qū)動(dòng)能力不足時(shí)
如果選擇MOS管寄生電容比較大,電源IC內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)能力又不足時(shí),需要在驅(qū)動(dòng)電路上增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力,常使用圖騰柱電路增加電源IC驅(qū)動(dòng)能力,其電路如圖 2虛線框所示。