日前，三星在2024年三星代工論壇上公布了其芯片制造工藝技術的最新路線圖，涉及的重點包括2納米/1.4納米工藝，以及將在未來三年內(nèi)向客戶提供具有背面供電技術的路線圖。
其中，SF2節(jié)點（以前稱為SF3P）預計會在2025年推出，主要針對高性能計算和智能手機應用而設計。與3nm工藝（SF3）相比，三星的2nm工藝性能提升12%，功率效率提升25%，面積減少5%。
2026年，三星計劃推出SF2P，這是SF2的性能增強版本，其特點是速度更快但密度更低；2027年，三星將發(fā)布SF2Z，該產(chǎn)品將采用背面供電技術(BSPDN)，從而提高性能并增加晶體管密度。此外，這一改進還旨在提高電源質(zhì)量和管理壓降(IR Drop)，以應對先進芯片生產(chǎn)過程中的關鍵挑戰(zhàn)。
三星SF1.4節(jié)點（1.4納米）計劃，標志著三星將有望在2027年進入1.4 納米級別賽道。與SF2Z不同的是，SF1.4將不包括背面電源傳輸，這使三星有別于英特爾和臺積電，后者將在其2nm級和1.6nm級節(jié)點上引入背面供電技術。
