整個(gè)系統(tǒng)的功耗如圖4所示（包括發(fā)射機(jī)和接收機(jī)）。同預(yù)期一樣，接收機(jī)的功耗隨著RF鏈的增加而線性提高。若將不斷下降的Tx功耗曲線疊加在不斷上升的Rx功耗曲線上，我們會觀察到一個(gè)最低功耗區(qū)域。

本例中，最低值出現(xiàn)在大約128個(gè)元件時(shí)。回顧圖2給出的技術(shù)圖，要利用128個(gè)元件實(shí)現(xiàn)60dBm的EIRP，最佳PA技術(shù)是GaAs。

雖然使用GaAs PA可以實(shí)現(xiàn)最低的天線功耗和60dBm EIRP，但這可能無法滿足系統(tǒng)設(shè)計(jì)的全部要求。前面提到，很多情況下要求將RFIC放在天線元件的λ/2間距以內(nèi)。使用GaAs發(fā)射/接收模塊可提供所需的性能，但不滿足尺寸約束條件。為了利用GaAs發(fā)射/接收模塊，需要采用其他封裝和布線方案。

優(yōu)先選擇可能是增加天線元件數(shù)量以使用集成到RFIC中的SiGe BiCMOS功率放大器。圖4顯示，若將元件數(shù)量加倍，達(dá)到約256 時(shí)，SiGe放大器便能滿足輸出功率要求。功耗的增幅很小，而且可以把SiGe BiCMOS RFIC放到天線元件 (28 GHz) 的λ/2間距以內(nèi)。

將這一做法擴(kuò)展到CMOS，我們發(fā)現(xiàn)CMOS也能實(shí)現(xiàn)整體60dBm EIRP，但從技術(shù)圖看，元件數(shù)量還要加倍。因此，這種方案會導(dǎo)致尺寸和功耗增加，考慮到電流技術(shù)限制，CMOS方法不是可行的選擇。