互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）檢測(cè)器能將火花直讀光譜儀（OES）分析提升至全新水平。CMOS技術(shù)是光電倍增管（PMT）（在一些金屬分析儀中用于高端分析）的替代方案。在一些場(chǎng)景中，可將CMOS技術(shù)選作OES應(yīng)用場(chǎng)景的解決方案。

我們列出了您下次購買火花光譜儀時(shí)需要考慮基于CMOS的火花光譜儀的四大原因。

01、您缺少購買最昂貴的OES儀器所需的資金

直讀光譜儀是一項(xiàng)投資。此外，從歷史上看，更先進(jìn)的儀器包含多個(gè)光電倍增管，覆蓋寬的波長范圍以檢測(cè)許多不同元素。由于PMT價(jià)格昂貴，因此包含PMT的這類儀器也很昂貴。CMOS檢測(cè)器替代儀器的成本要低得多，且能覆蓋的元素和波長范圍更寬。

02、您需要分析范圍寬的元素

PMT檢測(cè)器的工作性能非常出色，可測(cè)量含量超低的特定元素。但由于僅針對(duì)少數(shù)入射光波長優(yōu)化每個(gè)檢測(cè)器，因此每個(gè)PMT檢測(cè)器將只能提供一個(gè)通道的結(jié)果。

如果需要測(cè)量各種材料中范圍更寬的雜質(zhì)元素和痕量元素，則可投資購買配備很多個(gè)檢測(cè)器的儀器，但價(jià)格會(huì)很昂貴（見上述第1點(diǎn)）。基于CMOS的檢測(cè)器將測(cè)量更寬的光譜范圍，由此可檢測(cè)樣品中是否存在更多元素。

03、您預(yù)計(jì)會(huì)拓展金屬生產(chǎn)的新領(lǐng)域

如今，新合金開發(fā)活動(dòng)與以往一樣活躍。從開發(fā)用于提高燃油經(jīng)濟(jì)性的高強(qiáng)度、輕質(zhì)材料，到植入后為人體所接受的醫(yī)療器械，不斷出現(xiàn)新的材料規(guī)格和客戶需求。

如果您選擇的OES儀器所配備的PMT檢測(cè)器已針對(duì)您目前所做工作予以優(yōu)化（這對(duì)于您目前的應(yīng)用場(chǎng)景來說可能很好），則在采用新應(yīng)用場(chǎng)景的情況下，您可能會(huì)發(fā)現(xiàn)您目前所用的儀器實(shí)際上已過時(shí)。通過選擇基于CMOS的儀器，可讓您在未來有持續(xù)不斷的選擇機(jī)會(huì)。

04、您需要保持低成本才能保護(hù)利潤

鑄造廠、金屬生產(chǎn)廠和制造廠的營運(yùn)成本很高。更糟糕的是，原材料和回收原料的價(jià)格可能因全球市場(chǎng)的不同而存在極大差別。因此，鑄造廠為保持盡可能低且可預(yù)測(cè)的所有其他成本而面臨較大壓力。

基于CMOS的OES儀器的操作成本往往低于其PMT同類儀器，因?yàn)镃MOS技術(shù)僅需極少功率即可操作。我們的OE系列OES火花光譜儀進(jìn)一步降低真空泵的功耗，并大幅減少分析期間所需的氬氣量。

所有這些方面都與檢出限有關(guān)

如今，如果進(jìn)行的分析需要的檢出限低于使用CMOS檢測(cè)器時(shí)所提供的檢出限，則可能仍然需要基于PMT的檢測(cè)器。對(duì)于使用基于CMOS的檢測(cè)系統(tǒng)的日立OE系列，我們發(fā)布了應(yīng)用指南，其中提供了不同基體合金的檢出限表。本文以鋼鐵為例。

您可以看到檢出限極低，但您必須為自己的應(yīng)用場(chǎng)景選擇正確的檢測(cè)器技術(shù)，如果存在檢出限要求，則您仍可能必須依賴于PMT檢測(cè)器。