將離子源產(chǎn)生的離子按質(zhì)荷比m/z的大小分開。

15.單聚焦分析器：

離子的m/z與R，B，V有關(guān)。通過改變磁場可以把不同離子分開。在一定磁感應(yīng)強(qiáng)度B下，改變加速電壓V可以使不同離子先后通過檢測器，實(shí)現(xiàn)質(zhì)量掃描，得到質(zhì)譜。特點(diǎn)：結(jié)構(gòu)簡單，操作方便；只有方向聚焦，無能量聚焦，分辨率低。

16.雙聚焦分析器：

實(shí)現(xiàn)方向聚焦和能量(速度)聚焦；

對于動(dòng)能不同的離子，通過調(diào)節(jié)電場能，達(dá)到聚焦的目的。

特點(diǎn)：分辨率高。

17.四級桿質(zhì)量分析器：

特點(diǎn)：結(jié)構(gòu)簡單，體積小、重量輕，掃描速率快，適合與色譜聯(lián)機(jī)。

18.飛行時(shí)間質(zhì)量分析器：

特點(diǎn)：質(zhì)量范圍寬，掃描速率快，既不需磁場也不需電場，只需要直線漂移空間。

19.離子阱質(zhì)量分析器：

特定m/z離子在阱內(nèi)一定軌道上穩(wěn)定旋轉(zhuǎn)，改變端電極電壓，不同m/z離子飛出阱到達(dá)檢測器。

特點(diǎn)：結(jié)構(gòu)簡單、易于操作、靈敏度高。

20.質(zhì)譜的表示方法：

質(zhì)譜一般可用線譜或表譜兩種方法表示，常用線譜；線譜上的各條直線表示一個(gè)離子峰，橫坐標(biāo)為質(zhì)荷比m/z，縱坐標(biāo)為離子的相對強(qiáng)度(相對豐度)，一般將原始質(zhì)譜圖上最強(qiáng)的離子峰定為基峰并定為相對強(qiáng)度100%，其他離子峰以對基峰的相對百分值表示。能夠很直觀地觀察到整個(gè)分子的質(zhì)譜全貌；質(zhì)譜表是用表格形式表示的質(zhì)譜數(shù)據(jù)，質(zhì)譜表中有兩項(xiàng)即質(zhì)荷比及相對強(qiáng)度，對定量計(jì)算較直觀。

21.質(zhì)譜儀的分辨率：

分辨率(R)指質(zhì)譜儀能區(qū)別鄰近兩個(gè)質(zhì)譜峰的能力，對兩個(gè)相等強(qiáng)度的相鄰峰，當(dāng)兩峰間的峰谷不大于其峰高10%時(shí)，則認(rèn)為兩峰已經(jīng)分開。

22.質(zhì)譜圖中主要離子峰的類型：

分子離子峰、同位素離子峰、碎片離子峰、亞穩(wěn)離子峰、重排離子峰。

23.相對分子質(zhì)量的測定：

分子離子峰的m/z相當(dāng)于該化合物的相對分子質(zhì)量。

一般除同位素離子峰外，分子離子峰是質(zhì)譜圖中最大質(zhì)荷比的峰，位于質(zhì)譜圖的最右端。

24.確認(rèn)分子離子峰的方法：

(1)分子離子峰必須符合氮數(shù)規(guī)則：

有機(jī)化合物含有偶數(shù)個(gè)氮原子或不含氮原子，分子離子峰的m/z一定是偶數(shù);含奇數(shù)個(gè)氮原子，分子離子峰的m/z一定是奇數(shù)；

(2)分子離子峰與相鄰離子峰的質(zhì)量差應(yīng)合理，如，不可能出現(xiàn)比分子離子峰質(zhì)量小4～13個(gè)質(zhì)量單位的峰；

(3)當(dāng)化合物中含S，Br，Cl時(shí)，可利用M+(M2+)+等同位素離子峰的比例來確認(rèn)分子離子峰。

(4)改變質(zhì)譜儀的操作條件，提高分子離子峰的相對強(qiáng)度。

※采用化學(xué)電離源或降低電子轟擊源電壓可獲得較強(qiáng)的M+峰。

25.氣相色譜-質(zhì)譜聯(lián)用儀：

質(zhì)譜：純物質(zhì)結(jié)構(gòu)分析。

色譜：化合物分離，定性能力差。

色譜-質(zhì)譜聯(lián)用：共同優(yōu)點(diǎn)，GC-MS、LC-MS、CE-MS，色譜是質(zhì)譜的進(jìn)樣及分離系統(tǒng)，質(zhì)譜是色譜的檢測器。

主要問題：接口技術(shù)，除去色譜中大量的流動(dòng)相分子。

適用范圍：適用于揮發(fā)度低、難氣化、極性強(qiáng)、相對分子質(zhì)量大及熱穩(wěn)定性差的樣品。

26.無損檢測定義：

無損檢測技術(shù)即非破壞性檢測，就是在不破壞待測物質(zhì)原來的狀態(tài)、化學(xué)性質(zhì)等前提下，為獲取與待測物的品質(zhì)有關(guān)的內(nèi)容、性質(zhì)或成分等物理、化學(xué)情報(bào)所采用的檢查方法。