近期，據(jù)消息稱，美國(guó)國(guó)家技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)研究院（NIST）的研究員第一次以納米級(jí)精度檢測(cè)了廣泛使用的太陽(yáng)能電池的化學(xué)成分及缺陷的變化。據(jù)悉，研究人員通過兩種新技術(shù)檢測(cè)了用碲化鎘半導(dǎo)體材料制造的常見太陽(yáng)能電池，此舉是為進(jìn)一步掌握太陽(yáng)能電池的微觀結(jié)構(gòu)，提升太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)化效率的方法。
在研究中，NIST科學(xué)家利用兩種依賴原子力顯微鏡（AFM）的輔助方法，通過光誘導(dǎo)共振（PTIR）來(lái)測(cè)量太陽(yáng)能電池樣品從可見光到中紅外線的寬波長(zhǎng)范圍吸收光的數(shù)量，從而在納米級(jí)尺度得到太陽(yáng)能電池的構(gòu)成及其缺陷。另一項(xiàng)技術(shù)，被稱為掃描近場(chǎng)光學(xué)顯微鏡（dt-NSOM），通過記錄特定位置傳輸光的數(shù)量來(lái)捕捉太陽(yáng)能電池的組成及缺陷的變化，從而形成詳細(xì)的納米尺度圖像。
實(shí)驗(yàn)表明，材料晶體排列的缺陷與其化學(xué)構(gòu)成中的雜質(zhì)相關(guān)，新技術(shù)能檢測(cè)碲化鎘樣品中所謂的深層次缺陷的空間變化。這些缺陷引起碲化鎘與其它半導(dǎo)體中的電子和質(zhì)子（帶正電荷的顆粒）重新組合而不是發(fā)電，這是導(dǎo)致太陽(yáng)能電池?zé)o法取得理論成效的關(guān)鍵原因之一。
值得一提的是，此研究成果具有廣泛適用性，將有助于太陽(yáng)能電池研究，更好地了解各種光伏材料。該研究成果發(fā)表在2017年4月12日的《Nanoscale》雜志上。
關(guān)于太陽(yáng)能電池
太陽(yáng)能電池又稱為“太陽(yáng)能芯片”或“光電池”，是一種利用太陽(yáng)光直接發(fā)電的光電半導(dǎo)體薄片。它只要被滿足一定照度條件的光照到，瞬間就可輸出電壓及在有回路的情況下產(chǎn)生電流。
