儀器儀表商情網(wǎng)訊：近日，我國(guó)自主研制的4英寸高純半絕緣碳化硅(SiC)襯底產(chǎn)品面世。中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)組織的專家認(rèn)為，該成果國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。
碳化硅基微波功率器件具有高頻、大功率和耐高溫的特性，是新一代雷達(dá)系統(tǒng)的核心。
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