二、欣喜之余的挑戰(zhàn)與突圍
在兩次中標(biāo)帶來(lái)的行業(yè)震動(dòng)之余，也不能忽視國(guó)產(chǎn)儀器背后的深層挑戰(zhàn)。
在50GHz以上的高頻段，國(guó)產(chǎn)連接器的插入損耗仍比進(jìn)口產(chǎn)品高0.8dB；校準(zhǔn)依賴的60GHz微波信號(hào)源，仍完全依賴是德科技。
不僅如此，高端ADC芯片依賴進(jìn)口，國(guó)產(chǎn)ADC最高采樣率僅40GSa/s(中電科55所產(chǎn)品)，無(wú)法滿足60GHz示波器需求。若無(wú)法自研芯片，80GHz機(jī)型恐需依賴TI的ADC 12DJ3200(320GS/s),成本占比超50%。
研發(fā)之路困難重重，測(cè)試環(huán)境的也同等重要。在高精度微波暗室測(cè)試環(huán)境方面，國(guó)內(nèi)能滿足要求的實(shí)驗(yàn)室不超過(guò)三家。南京信息工程大學(xué)聯(lián)合多方成立的“江蘇北斗衛(wèi)星導(dǎo)航檢測(cè)認(rèn)證中心”的緊縮場(chǎng)系統(tǒng)，是少數(shù)能實(shí)現(xiàn)110GHz毫米波電大目標(biāo)的電磁波特性測(cè)試的設(shè)施之一。
三、示波器帶寬競(jìng)賽背后的“芯片暗戰(zhàn)
國(guó)產(chǎn)示波器帶寬從20GHz躍升至60GHz的突破，背后是高速ADC芯片的艱難博弈。作為捕捉高速信號(hào)的核心部件，ADC芯片直接決定儀器性能上限，而這一領(lǐng)域長(zhǎng)期被國(guó)際巨頭壟斷，也正是國(guó)產(chǎn)設(shè)備在50GHz以上頻段存在性能短板、依賴進(jìn)口部件的關(guān)鍵原因。
萬(wàn)里眼的進(jìn)階，折射出國(guó)產(chǎn)企業(yè)的突圍思路：從早期機(jī)型依賴外部芯片，到后續(xù)通過(guò)多芯片協(xié)同提升性能，國(guó)產(chǎn)化比例逐步提高。這種探索雖有效突破了帶寬瓶頸，但在高頻段的信號(hào)穩(wěn)定性上仍有提升空間。
其他國(guó)產(chǎn)企業(yè)也在各自賽道上嘗試突破：有的通過(guò)優(yōu)化芯片應(yīng)用方案，在特定頻段實(shí)現(xiàn)性能平衡；有的聯(lián)合產(chǎn)業(yè)鏈伙伴定制芯片，在細(xì)分場(chǎng)景形成差異化優(yōu)勢(shì)。這些努力，都在為國(guó)產(chǎn)設(shè)備減少外部依賴積累經(jīng)驗(yàn)。
當(dāng)前仍存在一些瓶頸，國(guó)產(chǎn)ADC最高 40GSa/s（中電科55所），與TI 320GSa/s差距明顯，80GHz 機(jī)型恐仍需依賴進(jìn)口，成本占比偏高；工藝上，國(guó)際已用14nm，國(guó)產(chǎn)停留在28nm，功耗高一倍。
不過(guò)，突破的腳步從未停歇。隨著國(guó)產(chǎn)芯片技術(shù)的持續(xù)攻堅(jiān)，針對(duì)高頻場(chǎng)景的優(yōu)化方案正逐步成熟—— 有消息顯示，成都華微正在研發(fā) “自校準(zhǔn)時(shí)間交錯(cuò) ADC”，計(jì)劃 2026 年實(shí)現(xiàn)相位誤差控制在 0.2ps 以內(nèi)，為國(guó)產(chǎn)示波器向100GHz帶寬突破奠定關(guān)鍵基礎(chǔ)。這場(chǎng)“芯片暗戰(zhàn)” 的勝負(fù)，從來(lái)不只是參數(shù)比拼，而是國(guó)產(chǎn)儀器從“能用”向“好用”跨越的必經(jīng)之路。正如萬(wàn)里眼從20GHz到60GHz的突破所示，國(guó)產(chǎn)企業(yè)正在用系統(tǒng)集成創(chuàng)新彌補(bǔ)單芯性能差距，用產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同降低對(duì)進(jìn)口部件的依賴。當(dāng)芯片策略與場(chǎng)景需求、生態(tài)構(gòu)建深度綁定，國(guó)產(chǎn)示波器才能真正從“帶寬追趕”邁向“價(jià)值定義”。
