近日，央視新聞報道國產(chǎn)品牌自主研發(fā)設計的3nm制程手機處理器芯片實現(xiàn)重要突破，緊追國際先進水平。這一里程碑不僅打破國際技術壟斷，更推動國產(chǎn)半導體產(chǎn)業(yè)鏈在封裝測試、材料供應等環(huán)節(jié)行程聯(lián)動效應協(xié)同升級。

然而，芯片的量產(chǎn)之路依然充滿挑戰(zhàn)——從設計端的晶體管結(jié)構(gòu)創(chuàng)新到制造端的原子級工藝控制，從封裝環(huán)節(jié)的高密度集成難題到量產(chǎn)階段的可靠性驗證，每個環(huán)節(jié)都需要精準的檢測技術支撐。

廣電計量構(gòu)建了半導體全產(chǎn)業(yè)鏈質(zhì)量評價與可靠性提升技術服務能力，獲得 CNAS、CMA 等權威認可的檢查分析項目數(shù)量位居行業(yè)前列，可提供設計驗證、晶圓制造、封裝測試、組裝SMT、應用驗證全過程分析與驗證服務，覆蓋“從圖紙到終端”的產(chǎn)品全生命周期，尤其已具備3nm及以下先進制程芯片的晶圓級制造工藝顯微分析及失效分析能力，技術服務能力達到行業(yè)領先水平，打造半導體全產(chǎn)業(yè)鏈第三方檢測頭部機構(gòu)。

先進顯微分析技術助力先進制程芯片失效分析及晶圓制造工藝分析

廣電計量基于透射電子顯微鏡（TEM）和聚焦離子束（FIB）等先進的顯微分析技術，系統(tǒng)開發(fā)出了一套全方位檢測分析先進制程芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)的方案，成功實現(xiàn)了從封裝級到晶圓級，逐級對芯片內(nèi)部關鍵結(jié)構(gòu)和材料成分的解析。

具備3nm及以下先進制程芯片的晶圓級制造工藝顯微分析及失效分析能力，如FinFet、GAA結(jié)構(gòu)的原子級顯微分析等，可為3nm及以下先進制程晶圓制造企業(yè)提供工藝失效分析、FIB超薄切片和TEM高分辨分析服務。服務的客戶遍布國內(nèi)知名晶圓廠、半導體設備商、面板廠、芯片設計公司、高校科研院所等。

先進制程晶圓FinFET超薄切片的TEM照片

以先進技術打造協(xié)同創(chuàng)新生態(tài) 助力中國芯崛起

廣電計量作為國內(nèi)晶圓制造工藝及材料分析領域的領先者，不僅在原子級分辨率的形貌表征和成分分析上取得了突破，更將集成電路應用驗證平臺應用于新能源汽車、北斗導航等多個領域，累計服務上百家芯片設計、制造和應用企業(yè)，為“中國芯”的全面崛起貢獻了重要力量。

廣電計量深化產(chǎn)學研用協(xié)同，積極參與行業(yè)標準制定，與南京大學、上海交通大學、哈爾濱工業(yè)大學、中國科技大學等高校聯(lián)合編寫了《聚焦離子束：應用與實踐》和《聚焦離子束：失效分析》兩本專業(yè)論著，成為國內(nèi)首家參與FIB領域?qū)I(yè)書籍撰寫的第三方檢測機構(gòu)，為聚焦離子束（FIB）顯微分析技術的推廣積極貢獻力量。同時，積極推動設備與材料檢測的國產(chǎn)化進程，強化與國產(chǎn)設備廠商、材料企業(yè)的協(xié)同創(chuàng)新，助力構(gòu)建自主可控的半導體檢測生態(tài)，質(zhì)量護航中國芯崛起。

當 3nm 芯片開啟國產(chǎn)半導體的新紀元，廣電計量始終以 "工業(yè)眼" 的專業(yè)視角，為產(chǎn)業(yè)鏈提供從原子級檢測到系統(tǒng)級驗證的全周期質(zhì)量保障。我們深耕先進制程檢測技術，賦能芯片設計、制造、應用全環(huán)節(jié)，與行業(yè)伙伴共同書寫中國芯自立自強的新篇章。

廣電計量集成電路測試與分析事業(yè)部

廣電計量集成電路測試與分析事業(yè)部是國內(nèi)半導體集成電路領域技術能力最全面、知名度最廣的上市第三方檢測機構(gòu)之一，聚焦高功率、高速度、高集成和高算力的先進半導體及超大規(guī)模集成電路國產(chǎn)自主可控需求，致力于為半導體全產(chǎn)業(yè)鏈提供專業(yè)的質(zhì)量評價與可靠性提升技術服務。

●工業(yè)和信息化部“面向集成電路、芯片產(chǎn)業(yè)的公共服務平臺”。

●國家發(fā)展和改革委員會“導航產(chǎn)品板級組件質(zhì)量檢測公共服務平臺”。

●廣東省工業(yè)和信息化廳“汽車芯片檢測公共服務平臺”。