后摩爾時(shí)代專(zhuān)題，泰克張欣與北大集成電路學(xué)院唐克超老師共話鐵電晶體管、存儲(chǔ)計(jì)算科研進(jìn)展

人工智能和大數(shù)據(jù)技術(shù)的飛速發(fā)展對(duì)芯片存儲(chǔ)性能和算力提出了更高的需求。傳統(tǒng)的計(jì)算架構(gòu)逐漸顯露出局限性，這促使學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界開(kāi)始探索新的計(jì)算架構(gòu)和信息器件。在后摩爾時(shí)代，鐵電晶體管（FeFET）作為一種新型的信息器件，因其在存儲(chǔ)和計(jì)算領(lǐng)域的潛在應(yīng)用而備受關(guān)注。

泰克科技與北京大學(xué)集成電路學(xué)院唐克超課題組聯(lián)合舉辦了一場(chǎng)學(xué)術(shù)交流訪談會(huì)，旨在探討高耐久性氧化鉿基鐵電晶體管（FeFET）器件及其在集成電路領(lǐng)域的應(yīng)用前景。在這次訪談交流中，講座主講人北京大學(xué)集成電路學(xué)院的唐克超老師分享了他們團(tuán)隊(duì)在鐵電材料和器件研究方面的最新成果，并探討了當(dāng)前研究的難點(diǎn)痛點(diǎn)以及未來(lái)可能的解決之道。

唐克超老師團(tuán)隊(duì)專(zhuān)注于鐵電材料及相關(guān)存儲(chǔ)器件的研究，特別關(guān)注氧化鉿基鐵電材料。他指出氧化鉿基鐵電存儲(chǔ)器由于其高密度集成潛力而受到重視，但耐久性是器件應(yīng)用面臨的一個(gè)核心的挑戰(zhàn)。團(tuán)隊(duì)的主要目標(biāo)是解決耐久性問(wèn)題并協(xié)同優(yōu)化器件性能，研究涉及鐵電耐久性原理、耐久性和存儲(chǔ)密度優(yōu)化以及陣列制備和應(yīng)用等方面。

鐵電存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用前景

張欣：您如何看待鐵電材料在集成電路領(lǐng)域的應(yīng)用前景？

唐老師：???目前有三種主流的鐵電器件技術(shù)：FeRAM、FeFET和FTJ，各自具有獨(dú)特的特性和應(yīng)用前景。在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，目前FTJ的成熟度相對(duì)較低，因此研究和開(kāi)發(fā)主要集中在FeRAM和FeFET上，這兩種技術(shù)更接近實(shí)際應(yīng)用和產(chǎn)業(yè)化。

FeRAM，即基于電容型的鐵電存儲(chǔ)器，其結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的DRAM類(lèi)似?；阝}鈦礦鐵電的FeRAM已有商業(yè)化產(chǎn)品，而氧化鉿基FeRAM也有較好的產(chǎn)業(yè)化前景。它旨在提供非易失性的高速存儲(chǔ)方案，將快速數(shù)據(jù)訪問(wèn)和低靜態(tài)功耗特性相結(jié)合，契合集成電路對(duì)速度和功耗的發(fā)展需求。FeFET，即基于晶體管型的鐵電存儲(chǔ)器，是我們團(tuán)隊(duì)的研究重點(diǎn)。這種存儲(chǔ)器以其高集成密度、高速讀寫(xiě)和低功耗而受到關(guān)注。FeFET的優(yōu)勢(shì)在于其三端器件讀寫(xiě)分離的特點(diǎn)，這使得它可以在數(shù)據(jù)讀取后不需要進(jìn)行重寫(xiě)，提高器件操作效率，并非常適合存算一體、神經(jīng)形態(tài)計(jì)算和硬件安全等新型應(yīng)用。FTJ即基于隧穿結(jié)的鐵電存儲(chǔ)器，目前偏向于前沿研究階段。FTJ面臨的主要挑戰(zhàn)是其較小的讀電流，這限制了器件的讀取速度。盡管如此，F(xiàn)TJ在神經(jīng)形態(tài)計(jì)算等低功耗應(yīng)用中顯示出巨大潛力。

鐵電存儲(chǔ)研究中遇到的挑戰(zhàn)

張欣：在FeFET的研究中，您的團(tuán)隊(duì)遇到了哪些挑戰(zhàn)？

唐老師：目前來(lái)說(shuō)，F(xiàn)eFET面臨的最大挑戰(zhàn)是耐久性問(wèn)題，即在反復(fù)編程和擦寫(xiě)后性能衰減。我們發(fā)現(xiàn)，界面電場(chǎng)過(guò)高是導(dǎo)致這一問(wèn)題的主要原因，而這需要系統(tǒng)性的優(yōu)化。盡管FeFET器件在讀寫(xiě)速度和功耗方面具有顯著優(yōu)勢(shì)，但其耐久性問(wèn)題一直是制約其廣泛應(yīng)用的主要障礙。FeFET耐久性問(wèn)題的核心原因就是因?yàn)樗谶M(jìn)行寫(xiě)操作的時(shí)候，界面層的電場(chǎng)非常的高，甚至可以超過(guò)氧化硅的擊穿電場(chǎng)。所以這就會(huì)導(dǎo)致器件在循環(huán)過(guò)程中，電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)界面電荷的俘獲與積累，導(dǎo)致新的電荷陷阱產(chǎn)生，同時(shí)在一定程度之后還會(huì)引起界面層的擊穿，最終導(dǎo)致器件的失效。團(tuán)隊(duì)在這一領(lǐng)域取得了突破性成果，通過(guò)新型鐵電材料的引入和鐵電-界面協(xié)同優(yōu)化，顯著提升了FeFET器件的耐久性。

張欣：對(duì)于鐵電器件，它就是通過(guò)局域電場(chǎng)讓鐵電發(fā)生翻轉(zhuǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)0和1的表征。對(duì)于這個(gè)問(wèn)題，豈不是鐵電材料與生俱來(lái)的嗎？

唐老師：鐵電材料的極化狀態(tài)通常需要電場(chǎng)的作用才能翻轉(zhuǎn)，而在鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FeFET）中，這一現(xiàn)象尤為顯著。FeFET的大部分電場(chǎng)實(shí)際上并不是直接作用于鐵電層，而是集中在鐵電層與溝道之間的1至2納米的界面上。通過(guò)電荷連續(xù)性方程的計(jì)算，我們可以發(fā)現(xiàn)，該界面處的電場(chǎng)強(qiáng)度遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的界面電場(chǎng)。因此在FeFET中，界面處的可靠性問(wèn)題會(huì)被進(jìn)一步放大。要解決這一問(wèn)題，需要從多個(gè)角度進(jìn)行全面的考量，包括鐵電材料本身對(duì)電場(chǎng)的響應(yīng)，界面結(jié)構(gòu)和缺陷對(duì)電場(chǎng)的影響，以及界面層結(jié)構(gòu)本身的穩(wěn)定性等。

測(cè)量方法及測(cè)量表征建議