移動(dòng)數(shù)據(jù)使用量的迅猛增長(zhǎng)，要求網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)支持更大的容量和更高的數(shù)據(jù)傳輸速率。而如何加快移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)向先進(jìn)網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)轉(zhuǎn)型的速度，對(duì)移動(dòng)回程線路(backhaul)基礎(chǔ)設(shè)施是一個(gè)新的挑戰(zhàn)，例如異構(gòu)網(wǎng)絡(luò)(Heterogeneous Network)與云端無(wú)線接入網(wǎng)絡(luò)(RAN, Radio Access Network)，其中更高頻段(例如E-band[2])可提供更大帶寬，以支持更快的數(shù)據(jù)傳輸通道。
建設(shè)這些超高效率的移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)，設(shè)備廠商需要擁有高性能且低功耗、低成本的大規(guī)模集成電路電子元器件。E3NETWORK項(xiàng)目利用意法半導(dǎo)體的高集成度、低功耗BiCMOS55Si制造工藝，開發(fā)出55納米的Ft高達(dá)320GHz的異質(zhì)雙極晶體管(HBT, Heterojunction Bipolar Transistors)。這項(xiàng)制造工藝準(zhǔn)許在一顆芯片上集成高頻模擬模塊與高性能、高容量的數(shù)字模塊，例如邏輯電路、AD/DA轉(zhuǎn)換器和存儲(chǔ)器。
E3NETWORK項(xiàng)目采用意法半導(dǎo)體的BiCMOS55制造，目前正在研發(fā)一個(gè)集成化的E-band收發(fā)器，用于去程線路(Fronthaul)和回程線路基礎(chǔ)設(shè)施，以實(shí)現(xiàn)數(shù)字多層調(diào)制，及高度聚焦的筆形波束(Pencil-beam)傳輸，數(shù)據(jù)速率可高達(dá)10Gbps。筆形波束的屬性有助于提高回程線路和去程線路頻率再用率，同時(shí)在毫米波(millimeter-wave)間隔期間保護(hù)頻譜利用率(Spectrum efficiency)不受影響。
建設(shè)這些超高效率的移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)，設(shè)備廠商需要擁有高性能且低功耗、低成本的大規(guī)模集成電路電子元器件。E3NETWORK項(xiàng)目利用意法半導(dǎo)體的高集成度、低功耗BiCMOS55Si制造工藝，開發(fā)出55納米的Ft高達(dá)320GHz的異質(zhì)雙極晶體管(HBT, Heterojunction Bipolar Transistors)。這項(xiàng)制造工藝準(zhǔn)許在一顆芯片上集成高頻模擬模塊與高性能、高容量的數(shù)字模塊，例如邏輯電路、AD/DA轉(zhuǎn)換器和存儲(chǔ)器。
E3NETWORK項(xiàng)目采用意法半導(dǎo)體的BiCMOS55制造，目前正在研發(fā)一個(gè)集成化的E-band收發(fā)器，用于去程線路(Fronthaul)和回程線路基礎(chǔ)設(shè)施，以實(shí)現(xiàn)數(shù)字多層調(diào)制，及高度聚焦的筆形波束(Pencil-beam)傳輸，數(shù)據(jù)速率可高達(dá)10Gbps。筆形波束的屬性有助于提高回程線路和去程線路頻率再用率，同時(shí)在毫米波(millimeter-wave)間隔期間保護(hù)頻譜利用率(Spectrum efficiency)不受影響。
