為華為RF工程師講課的Qorvo高級(jí)Fellow Bill Boesch接受專訪時(shí)表示：“4G、5G基站大功率射頻（RF）元件市場正在發(fā)生變革，原有的占主導(dǎo)地位的LDMOS元件雖有成本較低的優(yōu)勢，但市場份額正在出現(xiàn)下滑態(tài)勢，代之而起的是新興的GaN元件，它因其能夠節(jié)省更大功率的優(yōu)勢正在基站RF市場上快速增長?！?/span>
他特別提到，5G現(xiàn)在頻譜標(biāo)準(zhǔn)還沒有定，有可能會(huì)選擇4-5GHz或更高至毫米波頻段。對(duì)于手機(jī)終端來說，如果5G頻段在4-5GHz左右，GaAs RF應(yīng)該還是主流，但如果最終選擇8GHz以上頻段，GaN RF元件就應(yīng)該會(huì)成為主流選擇，因?yàn)樗母哳l和高功率性能更加突出。再考慮到未來的汽車前向毫米波雷達(dá)將采用77GHz毫米波頻段，GaN大功率RF元件未來無疑將成為市場的應(yīng)用主流。
新興的GaN功率元件采用一種擁有類似于SiC性能優(yōu)勢的寬能隙材料，但擁有更大的成本控制潛力，尤其是高功率的硅基GaN具有更大輸出功率與更快工作頻率，已被廣泛看好成為下一世代的大功率元件。
知名市場研究公司IHS IMS Research的報(bào)告也顯示，未來十年，受到5G基站、汽車毫米波雷達(dá)、大功率電源、太陽能逆變器以及工業(yè)馬達(dá)的需求驅(qū)動(dòng)，新興的GaN功率半導(dǎo)體市場將以18%的速度穩(wěn)步成長，預(yù)計(jì)在2022年以前， GaN功率元件的全球銷售額將從2012年的1.43億美元大幅增加到28億美元。
