最近，中科院半導體研究所超晶格國家重點實驗室牛智川團隊在銻化物半導體單模和大功率量子阱激光器研究方面取得新突破。
金屬光柵側(cè)向耦合分布反饋(LC-DFB)量子阱單模激光器實現(xiàn)2μm波段高邊模抑制比(～53dB)下的高功率(>40mW)室溫連續(xù)輸出。FP腔量子阱大功率激光器單管和巴條組件分別實現(xiàn)1.62瓦和16瓦的室溫連續(xù)輸出功率，一舉突破高端激光器進口限制性能的規(guī)定條款。
CPB文章中大功率線陣激光器功率圖
牛智川研究團隊近年來在國家973重大科學研究計劃、國家自然科學基金委重大項目及重點項目等的支持下，深入研究了銻化物半導體的材料基礎物理、異質(zhì)結低維材料外延生長和光電器件的制備技術等，系統(tǒng)性掌握了銻化物量子阱、超晶格低維材料物理特性理論分析和分子束外延生長方法，在突破了銻化物量子阱激光器的刻蝕與鈍化等核心工藝技術基礎上，創(chuàng)新設計金屬光柵側(cè)向耦合分布反饋(LC-DFB)結構成功實現(xiàn)了2μm波段高性能單模激光器，邊模抑制比達到53dB是目前同類器件的最高值，同時輸出功率達到40mW是目前同類器件的3倍以上。
