圖6 ，N溝道增強(qiáng)型MOSFET的簡化模型
比率式 - 電流檢測(cè)MOSFET
MOSFET由成千上萬個(gè)能降低導(dǎo)通電阻的并聯(lián)的晶體管元胞構(gòu)成。檢流MOSFET使用一少部分并聯(lián)元胞，連到共柵極和漏極，但源極是分開的（圖7）。這樣就產(chǎn)生了第2個(gè)隔離的晶體管，即“檢測(cè)”晶體管。當(dāng)晶體管導(dǎo)通時(shí)，流經(jīng)檢測(cè)晶體管的電流與流經(jīng)其他元胞的主電流成一定比例。
精度公差的范圍取決于具體的晶體管產(chǎn)品，低的達(dá)到5%，高的可以達(dá)到15%到20%。這種方法通常不適合一般要求測(cè)量精度達(dá)到1%的電流控制應(yīng)用，但適合過流和短路保護(hù)。
圖 7
從上面的總結(jié)表可以看出，探測(cè)電路中電流的方法有很多種，要根據(jù)應(yīng)用特定的需求來選擇合適的方法。每種方法均有其優(yōu)點(diǎn)和短板，這些因素都要在設(shè)計(jì)中加以仔細(xì)考量。
