如下表3所示為集成IC內(nèi)部MOSFET與外部續(xù)流二極管在常溫25℃下的實(shí)測(cè)電壓應(yīng)力及電流應(yīng)力，其電壓、電流應(yīng)力留有一定裕量保證模塊可靠性。

表3 關(guān)鍵器件電壓、電流應(yīng)力

在應(yīng)用中怎樣提高非隔離電源的可靠性

設(shè)計(jì)完一款非隔離電源之后，我們要如何保證在現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用中發(fā)揮其優(yōu)越的性能呢？
首先要明確的是非隔離模塊雖然沒有隔離前后級(jí)的特性，但只要在一些應(yīng)用場(chǎng)合中提高它的可靠性是完全可以不需要具有隔離功能的電源模塊，因此提高非隔離電源的應(yīng)用可靠性是極其重要的。

從使用者出發(fā)，做到預(yù)留充足的余量。大多數(shù)電源設(shè)計(jì)工程師在權(quán)衡性能指標(biāo)、器件成本下，往往做不到把所有電子器件的安全工作裕量留得很足，在某些異常情況下想要更好的提高模塊的可靠性，應(yīng)用的工程師除了要按照數(shù)據(jù)手冊(cè)的要求使用外，在選用模塊時(shí)也要留有30%以上的降額，這里的降額不僅指輸出負(fù)載的降額，也指輸入電壓的降額。例如：如下表4所示，型號(hào)為E7815OS-500的非隔離電源模塊輸入電壓在24V以下時(shí)效率較高，而負(fù)載在50%~70%內(nèi)效率較高且穩(wěn)定，則可以選擇在輸入電壓為19V~24V、負(fù)載為50%~70%內(nèi)使用可靠性相對(duì)安全性較高。

從開發(fā)人員出發(fā)，設(shè)計(jì)進(jìn)行完善的可靠性測(cè)試。當(dāng)然，除了對(duì)輸入電壓、負(fù)載電流進(jìn)行降額使用以外，還可以增加外圍電路通過(guò)電磁兼容（EMC）相關(guān)的實(shí)驗(yàn)來(lái)提高它的可靠性。

表4 效率與電壓、負(fù)載關(guān)系曲線圖