近期，我國自主研制的4英寸高純半絕緣碳化硅(SiC)襯底產(chǎn)品面世。中國電子材料行業(yè)協(xié)會組織的專家認(rèn)為，該成果國內(nèi)領(lǐng)先，已達(dá)到國際先進(jìn)水平。
碳化硅基微波功率器件具有高頻、大功率和耐高溫的特性，是新一代雷達(dá)系統(tǒng)的核心。
據(jù)了解，碳化硅基微波器件作為當(dāng)今世界最為理想的微波器件，其功率密度是現(xiàn)有微波器件的10倍，將成為下一代雷達(dá)技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)。美軍干擾機(jī)和“宙斯盾”驅(qū)逐艦的相控陣雷達(dá)已開始換裝碳化硅基微波器件產(chǎn)品，軍用市場將在未來幾年推動碳化硅基微波器件的快速發(fā)展。
可以說，研制高純半絕緣碳化硅襯底材料是我國新一代雷達(dá)系統(tǒng)獲得突破的核心課題之一。
項(xiàng)目研發(fā)者表示，4英寸高純半絕緣碳化硅半導(dǎo)體材料的研制成功使我國擁有了自主可控的重要戰(zhàn)略半導(dǎo)體材料，它將是新一代雷達(dá)、衛(wèi)星通訊、通訊基站的核心，并將在機(jī)載雷達(dá)系統(tǒng)、地面雷達(dá)系統(tǒng)、艦載雷達(dá)系統(tǒng)以及彈載雷達(dá)系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)應(yīng)用。
